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8月科學教育網小李來為大家講解下。kangte，康特城堡干紅葡萄酒這個很多人還不知道,現在讓我們一起來看看吧！

基于MOCVD生長的2D層狀Ge

研究背景

范德華(vdW)異質結器件可以發揮許多有趣的物理現象，例如激子動力學、界面電荷轉移和莫爾結構中的超導性。最近，基于密度泛函理論(DFT)的高通量計算預測，可能存在一千多個候選晶體以二維層狀材料(2DLM)的形式存在。然而，候選材料中只有不到一百個2DLM可供合成。因此，仍有很多機會發現新的2DLM，并且可以通過vdW堆疊從新的2DLM生成vdW異質結的各種組合。對于實現這些vdW異質結的器件應用，在相鄰材料的結處產生的能帶偏移工程很重要，因為vdW異質結器件的光電性質，例如載流子遷移率、亞閾值擺幅和復合率，可以根據能帶偏移的范圍進行調制。因此，建立2D vdW材料組庫不僅在擴展能帶偏移譜方面發揮了不可或缺的作用，而且在基礎材料研究之外為器件應用的各種方法架起了橋梁。IV族金屬硫族化合物家族（IV族金屬=Ge、Sn/硫族元素=S、Se、Te）在過去幾年中被積極報道為寬帶隙2D vdW材料。根據硒化鍺相的能帶結構計算，Ge4Se9尚未被報道以2D vdW形式生長，但它仍然是一種有趣的材料，因為它與MoS2表現出小的能帶偏移。vdW異質結器件的這種小能帶偏移可以引起具有大遲滯窗口的界面電荷轉移。因此，Ge4Se9有望成為基于能帶偏移工程設計vdW異質結器件功能的重要組成部分，包括具有大動態范圍和線性權重可調性的人工突觸器件。

成果介紹

有鑒于此，近日，韓國科學技術高等研究院（KAIST）Kibum Kang，韓國科學技術研究院(KIST)Joon Young Kwak和韓國化學技術研究院（KRICT）Taek-Mo Chung（共同通訊作者）等合作首次介紹了2D層狀Ge4Se9的IV族金屬硫族化合物，可作為絕緣vdW材料的新選擇。本文使用液態Ge前驅體在240℃下使用MOCVD系統合成了具有矩形形狀的2D層狀Ge4Se9。通過堆疊Ge4Se9和MoS2，本文制造了vdW異質結器件，通過掃描±80 V的背柵范圍，具有129 V的巨大存儲窗口。柵極無關的衰減時間表明，大遲滯是由界面電荷轉移引起的，這源于低能帶偏移。此外，觀察到2,250個脈沖的可重復電導變化，增強和抑制曲線的低非線性值分別為0.26和0.95。MoS2/Ge4Se9器件的工作能耗約為15 fJ，圖像分類的學習精度達到88.3%，進一步證明了作為人工突觸的巨大潛力。文章以“Large Memory Window of van der Waals Heterostructure Devices Based on MOCVD-Grown 2D Layered Ge4Se9”為題發表在頂級期刊Advanced Materials上。

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