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大家好,小宜來為大家講解下。插件源，插件源大全）這個很多人還不知道,現在讓我們一起來看看吧！

華為「半島日記」主題插件也快來咯

剛做完插件小小預告下，測試完成后大家就都可以用上啦，不過插件的天氣源和鎖屏不是同一個（獲取不到華為用的天氣源），所以插件的天氣顯示上可能會有些差別，不知道你們喜歡嗎[靈光一閃][靈光一閃]#華為#

接口設計中，反射衰減通常在高頻情況下變差，這是因為帶損耗的傳輸線反射同頻率相關，這種情況下，盡量縮短PCB走線就顯得異常重要。

穩壓二極管就是一種穩定電路工作電壓的二極管，由于特殊的內部結構特點，適用反向擊穿的工作狀態，只要限制電流的大小，這種擊穿是非破壞性的。

PN結具有一種很好的數學模型：開關模型à二極管誕生了à再來一個PN結，三極管誕生了。

在高頻電路中，必須考慮PN結電容的影響，正向偏置為擴散電容，反相偏置為勢壘電容。

在高密度的場合下，由于收發信號挨在一起，很容易發生串擾，這在布線時要遵守3W原則。

即相鄰PCB走線的中心線間距要大于PCB線寬的3倍，在插卡設備，接插件連接的位置，要有許多接地針，提供良好的射頻回路。

雙極型管是電流控制器件，通過基極較小的電流控制較大的集電極電流；MOS管是電壓控制器件，通過柵極電壓控制源漏間導通電阻。

三極管是靠載流子的運動來工作的，我們以NPN管射極跟隨器為例，當基極加不加電壓時，基區和發射區組成的PN結為阻止多子（基區為空穴，發射區為電子）的擴散運動，在此PN結處會感應出由發射區指向基區的靜電場（即內建電場）。

肖特基二極管適用于高頻開關電路，正向壓降和反相壓降都很低（0.2V）但是反向擊穿電壓較低，漏電流也較大。

抖動特性絕大部分是取決于輸出芯片的特性，不過，如果PCB布線不當，電源濾波不夠充分，時鐘參考源太沖太大也會增加抖動成分。

信號線的匹配對抖動產生直接的影響，特別是芯片中含有倍頻功能，本身相位噪聲較大。

極型選擇是指BJT是用PNP還是NPN管，這應該在確定電源形式時同時考慮，有些三極管的外殼與某個電極相連，對于硅管來說往往是集電極，在需要某極接地時應考慮這個因素。

發射極正偏，集電極反偏是讓BJT工作在放大工作狀態下的前提條件。

三種連接方式：共基極，共發射極（用的最多，因為電流電壓、功率均可以放大），共集電極。

判別三種組態的方法：共發射極，由基極輸入，集電極輸出；共集電極，由基極輸入，發射極輸出；共基極，由發射極輸入，集電極輸出。

三極管主要參數：電流放大系數β，極間反向電流，集電極最大允許電流，集電極最大允許耗散功率，反向擊穿電壓=3個重要極限參數決定BJT工作在安全區域。

因J-FET的Rgs很高，在使用時首先應注意無靜電操作，否則很容易發生柵極擊穿。

另外就是在設計電路時應仔細考慮各極限參數，不能超出范圍。

將J-FET當做可變電阻使用時應保證器件有正確的偏置，不能使之進入恒流區。

射極偏置電路：用于消除溫度對靜態工作點的影響（雙電源更好）。

三種BJT放大電路比較：共射級放大電路，電流、電壓均可以放大。

共集電極放大電路：只放大電流，跟隨電壓，輸入R大，輸出R小，用作輸入級，輸出級。

共基極放大電路：只放大電壓，跟隨電流，高頻特性好。

去耦電容：輸出信號電容接地，濾掉信號的高頻雜波。

旁路電容：輸入信號電容接地，濾掉信號的高頻雜波。交流信號針對這兩種電容處理為短路。

MOS-FET在使用中除了正確選擇參數以及正確的計算外，最值得強調的仍然是防靜電操作問題，在電路調試、焊接、安裝過程中，一定要嚴格按照防靜電程序操作。

主流是從發射極到集電極的IC，偏流就是從發射極到基極的Ib，相對與主電路而言，為基極提供電流的電路就是所謂的偏置電路。

場效應管三個鋁電極：柵極g、源極s、漏極d，分別對應三極管的基極b，發射極e，集電極c。

源極需要發射東西嘛，所以對應發射極e，柵極的英文名稱是gate，門一樣的存在，和基極的作用差不多，其中P型襯底一般與柵極g相連。

電容基礎

在電源中應用相當多種類的電容，輸出和輸入濾波電容、高頻旁路電容、諧振緩沖電容、電磁兼容濾波電容以及振蕩定時電容等等

用在電源輸出和輸入端的最普遍的是電解電容?？梢再I到不同類型電解電容，但最常應用（最價廉）是鋁電解電容,常說的電解電容就是指鋁電解電容(CD)。還有鉭電解電容(CA)，有固鉭和液鉭。鋁電解有非常多種類，并有你所需要的電壓定額和容量（mF，和數百V電壓）,但尺寸比較大。

鉭電容比鋁電容具有好得多的高頻特性，但價格貴而且電壓限制在100V和容量數百μF以下。中功率電源輸入最好選擇鋁電解電容，而輸出低壓采用貼片鉭電容。當然貼片比插件的容量小而電壓低。

定時和高頻旁路通常采用陶瓷電容，有瓷介電容和瓷片電容(CC)。容量在幾個pF到1μF。還能夠買到MLC（多層陶瓷）型電容，多層電容的ESR極低且容量大，容量可達幾百μF，可以代替鉭電容。

另一類是塑料介質電容，有聚乙烯、滌綸（CL）、聚丙烯(CB)、聚四氟乙烯(CF)、聚碳酸脂等薄膜電容。特別是聚丙烯用于很高的dv/dt電路中，像準諧振變換器和緩沖電路。紙介電容(CZ)高頻交流損耗大，一般只用于低頻濾波電路。

印刷電路上應用最小電容和最大電阻一樣，也有限制。印刷板上兩個靠得很近的導體之間的分布電容，可能掩蓋了你要接入的電容。所以除非特別小心處理，一般不要用小于22pF以下的電容。

在電容手冊中規定了電容的等效串聯電阻(ESR),或者給出規定頻率（例如電解電容為120Hz）測試的損耗角tanδ＝ωCRESR。而你將它使用在高頻電路中，例如用在100kHz，這時電容的ESR是多少可能使你感到為難。而ESR與頻率、溫度和電壓定額有關。在－25℃幾乎是25℃時的3倍。為預測電容的ESR，你必須知道工作頻率時相差不大于1個數量級的ESR數據。

例如，一個電源100kHz的電流紋波峰峰值1A，輸出電壓紋波峰峰值為50mV。變化的電荷量為1A×(1/100kHz)=10μC，要是電容沒有ESR，需要電容量為C=Q/U=10μC/50mV=200μF。假定采用兩個100μF電解電容。100μF電容室溫下典型的ESR為100mΩ。為了將紋波降低到50mV，需要ESR＝50mV/1A＝50mΩ，兩個100μF并聯獲得（這里僅考慮ESR的影響，如果再考慮電容量和ESR一起對紋波電壓影響，應當為3個100μF電容并聯）。但是在－25℃時一個電容的ESR為300mΩ，實際上需要6個電容。在低溫時6個電容50mV，由于電容紋波電壓僅17mV，而電阻和電容的壓降不同相，所以總的紋波電壓大約Upp=[(502+172)]1/2=53mV。顯然設計的濾波器很大。高頻時ESR比電容量更主要，一般根據允許的紋波電壓和預計的ESR選擇電容量。

由于ESR存在，在電容充放電電流產生電阻損耗(ESR)I2，引起電容發熱，這是影響電容壽命的主要因素。這里電流是有效值。

有資料介紹，就目前生產的鋁電解電容在很大電壓范圍內，大量統計得到常溫下ESR×C=50~85×10－6(s)。一般初始計算時取其平均值65×10－6(s)。再根據允許電壓紋波選擇電容量。選擇了電容量以后，再根據電壓定額修正ESR值。提供閉環穩定性設計。

電解電容的壽命與溫度有關，電容的壽命隨溫度上升10℃下降1倍，所以85℃壽命2000小時，而在平均溫度25℃時壽命為2000×26=128000=16年。這里用的是平均溫度，不是最大溫度，也不是額定溫度。除此之外，你將發現賣不到滿足整個壽命規范的電容。

因為電容老化與溫度緊密相關，所以電容安裝時盡量不要靠近功率器件和發熱源，同時通風良好。多個電容安裝在一起時，電容之間應當留有空隙。不同外形尺寸的電容間距離為φ40以上>5mm, φ18～35應>3mm，φ6～16為>2mm。

本文插件源，插件源大全）到此分享完畢，希望對大家有所幫助。